Um transistor de efeito de campo consiste essencialmente de um canal de transporte de corrente formado de material semicondutor cuja condutividade é controlada por uma tensão aplicada externamente.
A corrente é transportada por apenas um tipo de portador de carga, os elétrons nos canais são formados de material de semicondutor do tipo N, buracos nos canais de material do tipo P.
O transistor de efeito de campo às vezes é chamado transistor unipolar para distingui-lo do transistor de junção, cuja operação depende de ambos os tipos de portadores de carga, e por isso é que é chamado transistor bipolar.
Cito dois tipos de transistor de efeito de campo (FET): o FET de junção (JFET) e o FET de porta isolada (IGFET).
O FET de porta isolada mais usado é o MOSFET, as iniciais MOS significando Metal Óxido Semicondutor e indicando a estrutura do transistor, o nome abreviado é MOST.
A operação teórica do FET foi descrita por Willaim Shockley em 1952, mas foi só a partir de 1963 que os dispositivos práticos passaram a ser encontrados, o atraso foi a conseqüência do fato de que as técnicas de fabricação não estavam suficientemente avançadas até esta data, sendo essencial o processo planar para a fabricação dos FETs.
Isto mostra um exemplo claro de como o trabalho teórico sobre dispositivos do estado sólido nos primeiros dias do transistor estava muitas vezes à frente da tecnologia do dispositivo.