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A Dopagem No Diodo

A dopagem no diodo é feita pela introdução de elementos dentro de cristais tetravalentes, normalmente feitos de silício e germânio.

Dopando esses cristais com elementos trivalentes, obterá átomos com sete elétrons na camada de valência, que necessitam de mais um elétron para a neutralização (no cristal cristal P).

Para a formação do cristal P, utiliza-se principalmente o elemento Indio.

Dopando os cristais tetravalentes com elementos pentavalentes, serão obtidos átomos neutralizados, com oito elétrons na camada de valência e um elétron excedente (no cristal N).

Para a formação do cristal N, utiliza-se principalmete o elemento Fósforo.

Quanto maior a intensidade da dopagem, maior será a condutibilidade dos cristais, pois suas estruturas apresentarão um número maior de portadores livres, e poucas impurezas que impedem a condução da corrente elétrica.

Outro fator que influencia na condução desses materiais é a temperatura.

Quanto maior for sua temperatura, maior será a condutibilidade pelo fato de que a energia térmica ter a capacidade de quebrar algumas ligações covalentes da estrutura se desfaçam, acarretando no aparecimento de mais portadores livres para a condução.

Após serem dopadas, cada face dos dois tipos de cristais terá uma determinada característica diferente da oposta, gerando regiões de condução do cristal, uma com excesso de elétrons, outra com falta de elétrons, e entre ambas, haverá uma região de equilíbrio por recombinação de cargas positivas e negativas, chamada de região de depleção.

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