Este texto refere-se aos cristais de silício ou de germânio, mas deixemos o tipo de cristal a parte, não vamos considerar o tipo de cristal por simplicidade e também porque o silício é de uso generalizado em eletrônica, porém, são encontrados na natureza misturados com outros elementos.
Dado a dificuldade de se controlar as características destes cristais é feito um processo de purificação do cristal e em seguida é injetado através de um processo controlado, a inserção proposital de impurezas na ordem de 1 para cada 106 átomos do cristal, com a intenção de se alterar produção de elétrons livres e lacunas.
A este processo de inserção dá-se o nome de dopagem.
As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos: impurezas doadoras e impurezas aceitadoras.