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Transistor Liga Difundida

Durante os anos de 1950, vários tipos de transistores foram desenvolvidos para superar as limitações do transistor tipo de junção por liga.

Um destes foi o transistor de liga difundida, neste transistor duas pelotas que formavam o emissor e a base eram ligados do mesmo lado de uma fatia de germânio do tipo P que constituía o coletor.
A pelota da base continha impurezas do tipo N, enquanto que a pelota do emissor continha tanto impurezas do tipo P quanto do tipo N.

Até aquecer o conjunto a 800 °C ocorria a liga, mas, além disso, ocorria a difusão das impurezas do tipo N no germânio do tipo P antes da liga.

No resfriamento, ficava formada uma fina camada do tipo N enlaçando ambas as pelotas, com uma camada do tipo P apenas sob a pelota do emissor.

E assim, um transistor PNP com uma estreita camada de base era formado, em virtude da estreita cama da da base, a freqüência de corte deste tipo de transistor não passava dos 800 MHz, mesmo que atualmente pareça obsoleto (e é), o transistor de liga difundido foi amplamente utilizado nas aplicações de alta freqüência, até que foi substituído pelo transistor epitaxial planar de silício.

Outro tipo de transistor que foi desenvolvido originalmente com germânio em 1956 foi o transistor-mesa, este transistor foi desenvolvido para aprimorar as características de chaveamento ou comutação e o desempenho nas altas freqüências dos transistores que existiam na época.

O princípio era o ataque químico das bordas ou transições da estrutura do transistor para diminuir as áreas da junção e assim reduzir as capacitâncias, a forma resultante era uma mesa ou platô.

Os transistores-mesa de germânio originais eram capazes de comutar formas de onda com tempos de crescimento de 1 ps, e tinham um desempenho nas altas freqüências comparável ao do tipo de liga difundida.

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