Transistores Difundidos

Desde cedo se compreendeu que as regiões de impureza nos transistores de silício podiam ser difundidas numa fatia de material depositada na superfície por vaporização, e que este processo tinha consideráveis vantagens sobre o processo de liga.

Com maior controle sobre o processo ficou mais fácil fabricar dispositivos com características superiores aos dos transistores de liga.

Um transistor NPN de silício pode ser feito por duas difusões numa fatia do tipo N que forma o coletor do transistor completo.

A primeira difusão, forma a base, usa impurezas do tipo P, tais como o boro ou gálio, e cobre toda a superfície da fatia.
A segunda difusão forma o emissor, misturando impurezas do tipo N, tais como fósforo ou arsênico na região da base já misturada.

As ligações elétricas da base são feitas fazendo a liga dos contatos de retificação através do emissor à base, uma melhoria deste processo de fabricação é usado atualmente nos transistores de silício de alta potência.

A descoberta de que o óxido de silício termicamente crescido sobre a superfície da fatia podia formar uma barreira para a difusão, e assim podia ser usada para definir as regiões de impureza, deu ensejo ao aparecimento do processo planar, que na época significou uma nova técnica de fabricação de transistores.


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