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Velocidade de Transistor

O segredo dos fabricantes para se aumentar a velocidade de resposta dos transistores, principalmente os de rádio frequência, está basicamente na diminuição da capacitância interna do próprio transistor, o que é conseguida com a elaboração de transistores cada vez menores na pastilha de silício dos chips.

Mas é preciso lembrar que nem tudo é diminuir de tamanho e está ficando tudo muito bom, esta diminuição acelerada também traz problemas adicionais que serão citadas em outros links do Ibytes.

Outro fato interessante que deve ser observado quando analisamos um transistor na prática, é que os portadores de carga nos materiais P são mais lentos do que nos materiais N, isso quer dizer que os elétrons são mais rápidos que os buracos.

Então podemos considerar que entre um transistor do tipo PNP e um transistor do tipo NPN, o transistor do tipo NPN será mais rápido, pois a corrente deve passar por apenas um pedaço de material P onde ela é mais lenta, ao contrário do PNP onde a corrente deve passar por duas regiões P.

É claro que isso é válido apenas para a comparação entre transistores com as mesmas dimensões da pastilha.

Novos matérias como o Arseneto de Gálio (GaAs) já estão sendo usados para a fabricação de transistores e mesmo chips extremamente rápidos, capazes de gerar e/ou amplificar sinais de milhares de megahertz (giga hertz).

Os portadores de carga tanto N como P nestes materiais são dezenas de vezes mais rápidos do que no silício, o que os tornam ideais para a construção de transistores muito rápidos.

Para complemantar, a mobilidade das cargas que correspondem aos sinais no silício é outro fator que limita a velocidade dos computadores, pois a diminuição do tamanho dos transistores integrados nas pastilhas de silício dos computadores reduz a distância que os portadores percorrem, e isso significa um aumento da velocidade, mas ao mesmo tempo torna mais difícil sua elaboração e também implica na necessidade de trabalharem com tensões e correntes menores.

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