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Significado Termo RAM
O termo RAM é usado para designar uma memória de acesso randômico (Rand Access Memory), ou seja, uma memória com igual facilidade de acesso a todos os endereços, no qual o tempo de acesso a qualquer um deles é constante.

As RAMs são usadas em computadores para armazenamento temporário de programas e dados.

A grande desvantagem reside no fato delas serem voláteis, algumas RAMs CMOS têm a capacidade de operar em standby, consumindo muito pouca energia quando não estão sendo acessadas, além disso, algumas podem ser alimentadas por baterias, mantendo seus dados armazenados na ocorrência de eventuais interrupções de energia.

RAM ESTÁTICA (SRAM).

São aquelas que só podem manter a informação armazenada enquanto a alimentação estiver aplicada ao chip.

As células de memória das RAMs estáticas são formadas por flip-flops que estarão em certo estado 1 ou 0 por tempo indeterminado.

Estão disponíveis nas tecnologias bipolares e MOS.

Bipolar: maior velocidade, maior área de integração.

MOS: maior capacidade de armazenamento e menor consumo de potência.

Propriedades: alto custo, difícil integração, e pouca capacidade em muito espaço.

TECNOLOGIAS.

À medida que o tempo passa, mesmo as memórias estáticas estão ficando lentas para as freqüências de operações utilizadas nos barramentos locais do microcomputador.

A solução foi o desenvolvimento de novas tecnologias de memória estática:

ASYNCHRONOUS SRAM.

Esse é o tipo tradicional de memória estática, utilizada a partir do 80386, embora seja rápida, em freqüências de operação acima de 33Mhz, necessita utilizar wait states (aguardando estado).

Tem um tempo de acesso típico de 20 a 12 nano segundo.

SYNCHRONOUS BURST SRAM.
Esse é o melhor tipo de memória estática para micros que utilizem até 66Mhz como freqüência de operação do barramento local, pois não é preciso utilizar wait states.

Tem um tempo de acesso típico de 12 a 8,5 nano segundo.

PIPELINED BURST SRAM.

Esse novo tipo consegue trabalhar com barramentos de até 133Mhz sem a necessidade de wait states, tem um tempo de acesso típico de 8 a 4,5 nano segundo.

RAM DINÂMICA (DRAM).

São fabricadas usando a tecnologia MOS.

Apresentam alta capacidade de armazenamento, baixo consumo de energia, velocidade de operação moderada, armazena 1s e 0s como carga de microcapacitores MOS, baixo custo.

Desvantagens: necessitam de recarga periódica das células de memória, operação de refresh de cada célula a cada 2~10 micro segundos.

Sempre que uma operação de leitura for realizada em determinada célula da DRAM, todas as células desta mesma linha sofrerão refresh.

Mesmo não podendo baixar o tempo de acesso da memória dinâmica, principalmente por causa da necessidade de ciclos de refresh, os fabricantes conseguiram desenvolver diversas novas tecnologias de construção de circuitos de memória RAM.
Embora tenha o mesmo tempo de acesso, circuitos com tecnologias de construção diferentes podem apresentar velocidades diferentes.

Para entendermos as novas tecnologias de construção de memórias dinâmicas e as suas vantagens, devemos ir um pouco mais a fundo no funcionamento das memórias dinâmicas.

As novas tecnologias são alterações na estrutura básica do funcionamento da memória, que fazem com elas gastem um número menor de wait states (tempo de espera).

Podemos citar:.
Memória Fast Page Mode ( FPM ).
Memória Extended Data Out ( EDO ).
Memória Burst Extended Data Out ( BEDO ).
Memória Synchronous Dynamic RAM ( SDRAM ).
Memória Double Data Rate SDRAM ( SDRAM-II ).
RAM NÃO-VOLÁTIL (NVRAM)

Contém uma matriz de RAM estática e uma matriz EEPROM no mesmo chip.

Cada célula da RAM estática tem uma correspondente na EEPROM, e a informação pode ser transferida entre células correspondentes em ambas as direções.

Elas atuam na ocorrência de falta de energia, ou quando o computador for desligado, a operação de transferência é realizada em paralelo e gasta alguns poucos milisegundos.

A NVRAM tem a vantagem de não precisar de bateria.

Não estão disponíveis em versões de grande capacidade de armazenamento, neste caso, usam-se RAMs CMOS com bateria.
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