Transistores Difundidos

Um Transistor NPN de Silício Pode Ser Feito Por Duas Difusões

Desde cedo se compreendeu que as regiões de impureza nos transistores de silício podiam ser difundidas numa fatia de material depositada na superfície por vaporização, e que este processo tinha consideráveis vantagens sobre o processo de liga.

Com maior controle sobre o processo ficou mais fácil fabricar dispositivos com características superiores aos dos transistores de liga.

Um transistor NPN de silício pode ser feito por duas difusões numa fatia do tipo N que forma o coletor do transistor completo.

A primeira difusão, forma a base, usa impurezas do tipo P, tais como o boro ou gálio, e cobre toda a superfície da fatia.
A segunda difusão forma o emissor, misturando impurezas do tipo N, tais como fósforo ou arsênico na região da base já misturada.

As ligações elétricas da base são feitas fazendo a liga dos contatos de retificação através do emissor à base, uma melhoria deste processo de fabricação é usado atualmente nos transistores de silício de alta potência.

A descoberta de que o óxido de silício termicamente crescido sobre a superfície da fatia podia formar uma barreira para a difusão, e assim podia ser usada para definir as regiões de impureza, deu ensejo ao aparecimento do processo planar, que na época significou uma nova técnica de fabricação de transistores.

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