Terminologia Memórias

· CÉLULA DE MEMÓRIA – Flip-flop que armazenam um único bit.

· PALAVRA DE MEMÓRIA – Um grupo de células, normalmente 4 a 64 bits.

· CAPACIDADE – 1K = 1024, 1M = 1.048.576 – 2K x 8 = 2048 x 8 = 16384 bits.

· ENDEREÇO – Identifica a posição de uma palavra na memória.

· OPERAÇÃO DE LEITURA – Também chamada de busca na memória.

· OPERAÇÃO DE ESCRITA – Também chamada de armazenamento.

· TEMPO DE ACESSO – Quantidade de tempo necessária à busca ou armazenamento.

· MEMÓRIA VOLÁTIL – Necessitam de energia elétrica para reter a informação armazenada.

· MEMÓRIA DE ACESSO RANDÔMICO (RAM) – O tempo de acesso é constante para qualquer endereço da memória.

· MEMÓRIA DE ACESSO SEQUENCIAL (SAM) – O tempo de acesso não é constante, mas depende do endereço.

· MEMÓRIA DE LEITURA/ESCRITA (RWM) – Qualquer memória que possa ser lida ou escrita com igual facilidade.

· MEMÓRIA DE LEITURA (ROM) – Uma classe de memórias a semicondutor projetadas para aplicações onde a taxa de operações de leitura é infinitamente mais alta do que as de escrita, são não-voláteis.

· DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA ESTÁTICA – Enquanto houver energia elétrica aplicada, não há necessidade de reescrever a informação.

· DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA DINÂMICA – Necessitam de recarga (refresh).

· MEMÓRIA PRINCIPAL (INTERNA) – É a mais rápida do sistema, usada em instruções e dados.

· MEMÓRIA DE MASSA – É mais lenta que a principal, mas com grande capacidade de armazenamento.

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