A Estrutura do Diodo

Com a união de um cristal do tipo P e de um cristal do tipo N, obtém-se uma junção PN, que é um dispositivo de estado sólido simples: o diodo semicondutor de junção.

Motivados pela repulsão mútua, os elétrons livres do lado N se espalham em todas direções, e alguns atravessam a junção e se combinam com as lacunas.

Quando isto acontece, a lacuna desaparece e o átomo associado se torna carregado com cargas negativas, ou seja, fica carregado negativamente, e quando está carregado com cargas negativas, é porque ele se tornou um íon negativo.


Toda vez que um elétron atravessar a junção ele irá criar um par de íons.

Os íons estão fixos na estrutura do cristal devido a ligação covalente, mas à medida que o número de íons vai aumentando a região próxima à junção fica sem elétrons livres e lacunas, esta região é chamada de região de camada de depleção.


Além de certo ponto, a camada de depleção se comporta como se fosse uma barreira impedindo a continuação da difusão dos elétrons livres.

A intensidade da camada de depleção vai aumentando com cada elétron que atravessa a junção até que se atinja um equilíbrio.

A diferença de potencial através da camada de depleção é chamada de barreira de potencial.

Com temperatura de 25º, a barreira de potencial é de 0,6 Volts para o silício e 0,3 Volts para o germânio.

O símbolo utilizado para o diodo é mostrado na figura abaxo.

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